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本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：提供具有单元区和外围电路区的衬底，所述单元区要形成垂直层叠的多个存储器单元，所述外围电路区要形成外围电路器件。在单元区和外围电路区的衬底之上形成交替层叠有层间电介质层和栅电极...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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