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本发明公开了制作具有超接口的功率半导体组件的方法包含有：提供具有一第一导电类型的一基底；于基底上形成至少一栅极结构与设于栅极结构上的至少一掩膜层；于栅极结构与掩膜层的侧壁上形成一间隙壁，且暴露出部分基底；移除部分暴露出的基底，以形成至少一沟...
该专利属于茂达电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过茂达电子股份有限公司授权不得商用。

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