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本实用新型描述了一种用作电容耦合等离子体处理室的部件的限定环。所述限定环的内表面提供有延伸的等离子体限定区，所述限定区包绕位于上部电极和下部电极之间的间隙，在所述室中进行等离子体处理的过程中，半导体衬底被支撑于所述下部电极上。...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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