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本申请涉及用于光刻操作的间隔件双重图案化。本发明揭示半导体装置制作及布局产生的系统及方法。实例性方法包含以下过程：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间...
该专利属于益华公司所有，仅供学习研究参考，未经过益华公司授权不得商用。

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