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本发明提供了一种具有浪涌电流保护的宽带隙半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通过等离子体蚀刻穿过在重掺杂n-型衬底上生长的第一外延层而形成的轻掺杂n-型区，还包括通过等离子体蚀刻穿过在第一外延层上生长的第二外延层而形成的多个重掺杂p-型...
该专利属于SSSCIP有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SSSCIP有限公司授权不得商用。

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