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本发明公开了一种CdSe纳米晶半导体薄膜的制备方法，本方法采用氯化镉或硝酸镉作为Cd2+离子源，以硒代硫酸钠溶液作为Se2-离子源，以氨水作为缓冲剂，分别以三乙醇胺、柠檬酸钠、水合肼中的一种作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在玻璃衬底上形...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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