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本发明提供一种高性能半导体结构和一种用于制造此结构的方法。所述半导体结构包括位于半导体衬底(12)的上表面(14)上的至少一个栅极叠层(18)，例如，FET。所述结构进一步包括第一外延半导体材料(34)，其在所述至少一个栅极叠层的沟道(40...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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