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本发明是一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片的制造方法是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层，从而制造外延硅晶片的方法，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩcm的单晶硅进行切片而获得硅...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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