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本发明涉及一种芯片切割方法，包括交替进行若干次横向切割和若干次纵向切割，具体步骤：(一)首次横向切割，间隔N列晶粒切割，所述N为整数且N≥2；首次纵向切割，间隔M列晶粒切割，所述M为整数且M≥1；(二)后续横向切割和/或后续纵向切割，间隔一...
该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。

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