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一种MOS晶体管及其形成方法，形成MOS晶体管的方法包括：提供半导体衬底；图形化所述半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽的侧壁形成侧墙；氧化所述凹槽底部，在所述凹槽的底部形成氧化层；去除所述侧墙，在所述凹槽内形成半导体材料，覆盖所述氧化层，所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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