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一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面上形成有栅极结构；在所述衬底表面形成含有开口的硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的顶部和两侧，所述开口位于栅极结构两侧；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在栅极结构两侧形成沟槽；形成填充满...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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