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一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一光刻胶层并图形化，形成开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，沿开口图形刻蚀至半导体衬底，形成开口；去除第一光刻胶层；在所述层间介电层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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