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本发明公开了一种射频工艺中射频隔离度的表征方法，包括步骤：1)设计表征射频隔离度的测试图形时，设计两个分别位于SOC电路数字区域和射频区域的射频信号发送端口及接受端口；2)在射频信号发送端口周围设计一圈隔离环；3)在完成步骤1)和步骤2)设...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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