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本发明涉及一种半导体存储装置的内部时钟频率控制电路，包括：模式寄存器组，被配置为接收模式寄存器组控制信号和输出模式寄存器组信号；延迟单元，被配置为当在模式寄存器组信号被激活后经过了预定周期时产生使能信号；分频命令译码器，被配置为当所述使能信...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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