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一种存储器结构，包括两存储位单元及位于其间的字线，其中：两存储位单元分别具有一浮栅和一控制栅，控制栅有间隔的设置于浮栅上方，浮栅与字线之间设置有隧穿氧化层用以将其隔开；字线与半导体衬底之间设置有栅氧化层用以将二者隔开。该存储器结构中，两个存...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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