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公开的是存取时间或功耗的降低与每条字线的存储位数的改善能够得到平衡的半导体器件。存储器单元阵列(1)具有存储器单元(MC)和多个单元晶体管(TRB1、TRB2)以至少一条线的宽度布置的配置，所述存储器单元(MC)包含电阻值根据流动的电流而变...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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