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本发明涉及一种掺杂阱的制作方法，其特征在于：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成带有图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，向半导体衬底中进行第一次离子注入，形成第一阱；在光刻胶层上表面、与图案对应的半导体衬底和图案的内侧形成侧壁材料层，通过刻蚀去...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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