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本发明公开一种MIM电容中绝缘层的制作方法，其特征在于，在MIM电容的下电极板上，采用正硅酸乙酯以及臭氧气体进行热反应，形成二氧化硅绝缘层。本发明通过在以常规方法制作的MIM电容器下金属极板上利用不含有等离子体辅助增强的淀积方法来制备二氧化...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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