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本发明提供了一种改善刻蚀通孔工艺中刻蚀终点均匀性的方法，包括，在一晶圆所包含的晶体管器件上由下至上依次覆盖一采用高纵宽比工艺形成的氧化物层、刻蚀阻挡层和硅氧化物层；在所述硅氧化物层多个位置，同时自上至下刻蚀所述硅氧化物层、刻蚀阻挡层，由于所...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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