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本发明提供了一种防止酸槽清洗空洞形成的半导体器件及其制备方法，本发明通过在栅极的外围覆盖一层扩散阻挡层，从而有效加强对于栅极外侧的各层侧壁的保护，从而防止各侧壁在槽清洗的成型工艺中，靠近栅极源漏极端形成酸槽清洗空洞，从而栅极上方的金属硅化物...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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