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本发明提供了一种多层金属-氧化物-金属(MOM)电容的制作方法。通过形成低k值介质和高k氧化硅的混合层，再利用传统工艺的光刻刻蚀在低k值介质中形成金属槽并填充金属，重复上述步骤形成多层金属-氧化物-金属电容，在高k值氧化硅区域实现了MOM电...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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