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本发明公开了一种利用P型离子注入形成双深度隔离沟道的方法，具体是通过对图像传感器像素单元区进行P型离子注入，利用在浅沟道隔离蚀刻过程中掺杂后的衬底硅比不掺杂衬底硅蚀刻速率低的特点，降低像素单元区的沟道深度，从而在器件的不同区域形成不同深度的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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