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本发明公开一种有效减少水痕缺陷的方法，用于晶片在形成双多晶硅栅的过程中的清洗工艺，当晶片退火（anneal）之后，在进行钨金属硅化物的淀积之前先进行所述清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺包括如下步骤：将所述晶片送入湿式蚀刻清洗系统中；湿法蚀...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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