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本发明的实施例提供了一种半导体器件的制作方法，涉及半导体器件制作领域，为能够同时制作垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管和N型或P型金属氧化物半导体场效应管而发明。所述制作方法，包括：在衬底上形成阱区；形成有源区；在所述阱区之外的所述有源区形...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。