【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制作领域，尤其涉及。
技术介绍
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET，Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简禾尔 VDMOS 管，它的器件效率高，静态功耗小，而且，特殊的结构使它可以承受很高的击穿电压，能够提供较大的驱动电流和驱动电压，实现对高电压高功率器件的终端控制，在特种工业控制，电源管理，驱动电路等领域具有广泛的应用。现有技术中，VDMOS管的制作工艺与N型或P型金属氧化物半导体场效应晶体管 (M0S管)的制作工艺是彼此分立的，制作VDMOS管时，无法同时制作出N型或P型MOS管， 即无法将VDMOS和N型或P型MOS管制作在同一块半导体芯片上而集成逻辑运算控制电路， 因此，当VDMOS管应用于特种工业控制，电源管理，驱动电路等领域时，VDMOS管需要一个额外的互补金属半导体场效应管(CMOS，Complementary M0S)电路配合才能组成一个完整的电路系统，即需要VDMOS和CMOS两块芯...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括 在衬底上形成阱区；形成有源区；在所述阱区之外的所述有源区形成隔离注入区；在所述阱区内的所述有源区形成N型或P型金属氧化物半导体场效应管的源极和漏极，在所述隔离注入区内形成垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为带有N型外延层的N型硅片， 所述半导体器件将形成于所述外延层中。3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李天贺，陈建国，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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