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公开了改进的集成电路装置结构(200)(例如，静态随机存取存储器(SRAM)阵列结构或并入P型装置和N型装置的其它集成电路装置结构)(121a和121b)和形成该结构的方法的实施例，该方法将DTI区(160)用于所有阱间和阱内隔离，从而提供...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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