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本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段：a)在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃...
该专利属于塞姆科工程股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过塞姆科工程股份有限公司授权不得商用。

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