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本发明公开了一种用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺，其中，在硅片的已完成的前层金属层上依次淀积一介电阻挡层、一第一介电层、一中间介电阻挡层和一第二介电层；旋涂光刻胶，光刻形成沟槽图形；干法刻蚀沟槽至第一介电层，去除光刻胶；淀积...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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