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本发明提出一种具有漏极轻掺杂(lightly?doped?drain，LDD)结构的金属氧化物半导体(metal?oxide?semiconductor，MOS)元件的制造方法，包含：提供第一导电型的基板；于基板中形成绝缘结构以定义元件区；...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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