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本发明公开了一种具有超高单元密度的沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构及其制作方法，其中源区和体区被分别置于器件的不同区域，从而有效减小了器件的尺寸。此外，本发明的沟槽金属氧化物采用了带状的单元结构，进一步增加了单元封装密度，减小了漏极与源极...
该专利属于力士科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力士科技股份有限公司授权不得商用。

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