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本发明提供了一种激活掺杂原子的方法，在硅片的硅基底上构造出多晶硅栅极；对所述硅片的上表面进行硼原子的低浓度离子注入，在所述多晶硅栅极两侧的硅基底上形成p+型硅衬底；在多晶硅栅极两侧构造由氮化硅构成的侧墙；对多晶硅栅极两侧的侧墙外侧的p+型硅...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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