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本发明公开了一种白光LED外延结构及制作方法，以及含有该外延结构的白光LED芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnS衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第...
该专利属于潍坊广生新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊广生新能源有限公司授权不得商用。

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