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本发明公开了一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法,其特征在于包括以下步骤,步骤a:对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液,使之附着在需要加强的表面;步骤b:助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干,或者通过烘烤的方式烘干,挥发后的助粘剂活性成分...该专利属于无锡世一电力机械设备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡世一电力机械设备有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法,其特征在于包括以下步骤,步骤a:对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液,使之附着在需要加强的表面;步骤b:助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干,或者通过烘烤的方式烘干,挥发后的助粘剂活性成分...