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本发明公开了一种提高MRAM中的磁隧道结MTJ(Magnetic?TunnelJunction)金属间电介质的填充能力的方法，该方法通过将MTJ单元膜刻蚀成楔形状后再在其上沉积MTJ保护刻蚀阻挡层，并进一步通过回蚀法将所述MTJ保护刻蚀阻挡...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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