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本发明涉及一种半导体存储器件，包括：使能熔丝单元，被配置为在加电操作开始之后产生与使能熔丝的切断状态相对应的修复使能信号；以及地址熔丝单元，其响应于修复使能信号而被使能，且被配置为响应于外部地址以及地址熔丝是否被编程而产生输出信号。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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