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本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键...该专利属于上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。