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本发明提供了一种减小半导体器件中通孔尺寸的方法，包括(a)提供前端器件结构，前端器件结构上具有层间介质层，层间介质层上具有硬掩膜层，硬掩膜层上形成有具有开口图案的光刻胶层，开口图案的尺寸L大于设定的通孔目标值D；(b)以光刻胶层为掩膜刻蚀硬...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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