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一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法技术
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文档序号:7202709
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一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层;步骤2:在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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