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本发明公开了一种非对称双向保护组件。在第一导电类型的半导体基材中形成的非对称双向保护组件，包括：第一导电类型的第一嵌入区域；在所述基材和所述第一嵌入区域上的第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，所述第二外延...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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