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一种非易失性浮栅器件和方法，包括相对于热处理而设置或保持阈值电压特性。关于不同实施例，浮栅器件包括其中具有杂质的多晶硅材料。杂质与多晶硅材料相互作用以在热处理期间抵制多晶硅材料的晶粒尺寸的变化，并且相对于阈值电压而设置浮栅器件电荷存储特性。...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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