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可在具有熔丝阵列的同一衬底上形成电阻式随机存取存储器阵列。所述随机存取存储器与所述熔丝阵列可使用同一活性材料。举例来说，所述熔丝阵列及所述存储器阵列两者均可使用硫属化物材料作为活性切换材料。主要阵列可使用若干组垂直沟槽隔离部的图案，且所述熔...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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