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本发明提供一种半导体结构含有双极晶体管(101)及间隔结构(265-1或265-2)。该晶体管具有射极(241)、基极(243)、及集极(245)。该基极包含：基极接点部(243C-1)；本质基极部(243I-1)，其位于该射极的下方和该集...
该专利属于国家半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家半导体公司授权不得商用。

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