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本发明提供了一种制造低成本结合晶片（８）的方法，该方法能使宽带隙半导体（１）的块状晶体尽量薄地转印到处理基板（３）上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板（３）的表面上形成宽带隙半导体薄膜层（４）来制造结合晶片（８），该方法包括以下步骤：从具...
该专利属于信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社授权不得商用。

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