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非易失性状态保持锁存器制造技术
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下载非易失性状态保持锁存器的技术资料
文档序号:7159963
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电子电路使用锁存器,所述锁存器包括磁性隧道结(MTJ)结构及经布置以在所述MTJ结构中产生选择性状态的逻辑电路。因为所述选择性状态是以磁性方式维持,所以即使在从电子装置移除电力的情况下也可维持所述锁存器或电子电路的所述状态。...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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