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本发明揭示用于控制施加到自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）中的字线晶体管（４１０）的字线电压的系统、电路和方法。一个实施例是针对包括具有磁性隧道结（ＭＴＪ，４０５）和字线晶体管的位单元的ＳＴＴ－ＭＲＡＭ。所述位单元耦合到位线...
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