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在先进金属化系统的制造期间，可在去除多余金属的ＣＭＰ（化学机械抛光）工艺中部分保留形成在敏感介电材料上的介电覆盖层，从而避免如传统方法须在该ＣＭＰ工艺期间实质上完全消耗该介电覆盖材料后沉积专用的蚀刻停止材料。因而，可实现降低的工艺复杂度和／...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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