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一种装置，包括：具有器件层的半导体基板、多个金属化层、钝化层以及形成在钝化层上并电耦合到至少一个钝化层的金属凸块。所述装置进一步包括形成在钝化层上的焊料限定层，所述焊料限定层遮蔽金属凸块的上表面的外边缘，因此使得上表面的外边缘不能被焊接材料...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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