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在半导体层中和上实现制作半导体器件（１０）的方法。与第一有源区（２４、２６、２８、３０）相邻地形成沟槽（１８、２０、２２）。用绝缘材料（３２、３４、３６）填充沟槽。在沟槽的中心部分上形成掩蔽特征物（４８、５０、５２）以在掩蔽特征物的第一侧与...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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