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本发明描述了一种半导体器件，其中，器件中的电流被限制在整流结（例如，ｐ－ｎ结或金属－半导体结）之间。该器件提供了非穿通行为以及增强的电流传导性能。该器件可以是功率半导体器件，例如，结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）、静电感应晶体管（ＳＩＴ）、结型...
该专利属于半南实验室公司所有，仅供学习研究参考，未经过半南实验室公司授权不得商用。

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