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为了实现一种抵抗离子或光子侵害的存储器，选择一种存储器结构，其存储点相对这些侵害具有不对称表现。在这种情况下，对于一个相同和周期性的存储结构只需一个参考单元以能够纠正这次侵害影响到的所有存储单元。这样通过简单的冗余，就能得到１／２的纠正错误...
该专利属于欧洲航空防务及航天公司ＥＡＤＳ法国所有，仅供学习研究参考，未经过欧洲航空防务及航天公司ＥＡＤＳ法国授权不得商用。

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